Diodes Inc. ZX5T851GTA
$ 0.419
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZX5T851GTA | 16.000 | 1K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | ZX5T851GTA | 706 | 303 | |||||||||
| Verical | ZX5T851GTA | 706 | 303 | |||||||||
| TME | ZX5T851GTA | 208 | 1 | 21h | ||||||||
| DigiKey | ZX5T851GCT-ND | 43.788 | 1 | Cut Tape |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -59.03%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. ZX5T851GTA.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZXTN2010GTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZX5T851GTA fornite dai suoi distributori.
ZX5T851G Series NPN 6 A 60V SMT Medium Power Low Saturation Transistor - SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 60V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
60V NPN Low Saturation Transistor SOT223
TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:130MHz; Power Dissipation Pd:1.6W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Av Current Ic:6A; Collector Emitter Voltage Vces:210mV; Continuous Collector Current Ic Max:6A; Current Ic @ Vce Sat:6A; Current Ic Continuous a Max:6A; Current Ic hFE:5A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:130MHz; Hfe Min:55; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.6W; Power Dissipation Ptot Max:3W; Pulsed Current Icm:20A; Resistance R1:35mohm; SMD Marking:X5T851; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:150V
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -59.03%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)150 V
Collector Emitter Breakdown Voltage190 V
Collector Emitter Saturation Voltage210 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current6 A
Current Rating6 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency130 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current6 A
Max Frequency130 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation1.2 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità