Diodes Inc. ZXTN2010GTA
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Production
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.33%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZX5T851GTA
ZX5T851G Series NPN 6 A 60V SMT Medium Power Low Saturation Transistor - SOT-223
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXTN2010GTA fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Surface Mount
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
ZXTN2010G Series NPN 6 A 60 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-223
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
General Purpose Transistors NPN Ic=6A Vceo=60V hfe=100~300 P=3W SOT223
TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 130MHz; Power Dissipation Pd: 1.6W; DC Collector Current: 6A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transistor Case Style: SOT-223; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 30mV; Current Ic Continuous a Max: 6A; Gain Bandwidth ft Typ: 130MHz; Hfe Min: 100; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device
Transistor, Npn, 80V, 6A, 1.6W, Sot-223; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:80V; Frecuencia De Transición Ft:130Mhz; Disipación De Potencia Pd:1.6W; Corriente De Colector Dc:6A; Núm. De Contactos:4 |Diodes Inc. ZXTN2010GTA
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.33%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)150 V
Collector Emitter Breakdown Voltage190 V
Collector Emitter Saturation Voltage260 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current6 A
Current Rating6 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency130 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current6 A
Max Frequency130 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation1.6 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità