onsemi BCP55
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -63.24%
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0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-08-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
NXP SemiconductorsPVR100AZ-B3V3,115
Integrated Zener Diode and NPN Bipolar Transistor 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BCP55 fornite dai suoi distributori.
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS NPN 60V 1.5A SOT223-4
BCP55 Series 60 V CE Breakdown 1.5 A PNP General Purpose Amplifier - SOT-223
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V, SOT-223
This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switching circuits requiring collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 38. See BCP54 for characteristics.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendenza a 3 mesi: -63.24%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1.5 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length6.5 mm
Width3.5 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità