Vishay SQ2308CES-T1_GE3
$ 0.27
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CoreStaff | ST75013865 | 5 501 | 1 | 19h | ||||||||
| TME | SQ2308CES-T1-GE3 | 57 | 1 | 1d | ||||||||
| TTI | SQ2308CES-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 3h | |||||||
| Avnet | SQ2308CES-T1-GE3 | 0 | 3K | 4d | ||||||||
| TTI Asia | SQ2308CES-T1-GE3 | Contact | 4h |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-04-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-12-16
LTD Date2025-06-23
Pièces détachées
VishaySQ2362ES-T1_GE3
SQ2362ES Series 60 V 0.068 Ohm 4.3 A SMT Automotive N-Channel Mosfet - SOT-23
onsemiFDN5632N-F085
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRLML2060TRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Vishay SQ2308CES-T1_GE3 fournies par ses distributeurs.
SQ2308CES Series 60 V 150 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - SOT-23-3
MOSFET Devices; VISHAY; SQ2308CES-T1_GE3; 60 V; 2.3 A; 20 V; 2 W
60V 2.3A 2W 150mΩ@10V,2.3A 2.5V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Avnet Japan
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay NMOS TrenchFET, Vds=60 V, 2.3 A, SOT-23, , 3
AEQC101 Qualified N-CHANNEL 60-V (D-S) 1
MOSFET, AUTO, N-CH, 60V, 2.3A, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.3A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.12; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance205 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max150 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité