Infineon IRLML0060TRPBF

Transistor MOSFET N-Ch. 60V 2, 7A 1, 25W 0, 092Ohm SOT23 IRLML0060TRPBF
$ 0.164
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DistributorSKUMinPkg
AvnetIRLML0060TRPBF147 0003K
3d
Newark
3
IRLML0060TRPBF1 1481Cut Tape
Future Electronics
2
IRLML0060TRPBF402 0003KTape & Reel
Arrow Electronics
4
IRLML0060TRPBF55 4991
RutronikTMOSS679984 0003K
7h

Fiches techniques et documents

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Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIRLML2060TRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Détails
VishaySQ2308CES-T1_GE3
SQ2308CES Series 60 V 150 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - SOT-23-3
Détails
Diodes Inc.DMN6075S-7
Single N-Channel 60 V 120 mOhm 12.3 nC 0.8 W Silicon Mosfet - SOT-23
Détails
onsemiFDN5630
N-Channel 60 V 0.5 W 100 mOhm 10 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-3
Détails
VishaySQ2362ES-T1_GE3
SQ2362ES Series 60 V 0.068 Ohm 4.3 A SMT Automotive N-Channel Mosfet - SOT-23
Détails
onsemiCPH3351-TL-W
Single P-Channel 60 V 1 W 6 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLML0060TRPBF fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET N-Ch. 60V 2,7A 1,25W 0,092Ohm SOT23 IRLML0060TRPBF
Rapid Electronics
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 116 mOhm 2.5 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Surface Mount
EBV Elektronik
MOSFET, 60V, 2.7A, 92 MOHM, 2.5 NC QG, SOT-23
RS (Formerly Allied Electronics)
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Semicontronic
MOSFET, N CH, 60V, 2.7A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):78mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:1.25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2.7A; Power Dissipation Pd:1.25W; Voltage Vgs Max:16V
element14 APAC
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 2.7 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 116 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 4.2 / Rise Time ns = 6.3 / Turn-OFF Delay Time ns = 6.8 / Turn-ON Delay Time ns = 5.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 1.25
Distrelec

Images

RS APAC
RS APAC
reichelt
SOS electronic
element14 APAC
TME
element14 APAC
Newark
Distrelec
Conrad
TME
South Microelectronics
International Rectifier
Micros
LZChips
Rochester Electronics
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRLML0060TRPBF
  • IRLML0060
  • IRLML0060TRPBF.
  • SP001568948