Infineon IRLML2060TRPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-02-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
InfineonIRLML0060TRPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
InfineonSN7002NH6433XTMA1
Mosfet, N-Ch, 60V, 0.2A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies SN7002NH6433XTMA1
InfineonSN7002NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
onsemiMMBF170LT3
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 500mA Ta 500mA 225mW 10ns
Descriptions
Descriptions de Infineon IRLML2060TRPBF fournies par ses distributeurs.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.2 A, 0.356 ohm, SOT-23, Surface Mount
Single N-Channel 60 V 480 mOhm 0.67 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-3
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Power dissipation: 1.25 W
MOSFET, 60V, 1.2A, 480 MOHM, 0.7 NC QG,SOT-23
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 60V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.2A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):480mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:3.6W ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance64 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance480 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.25 W
Rds On Max480 mΩ
Recovery Time21 ns
Resistance480 MΩ
Rise Time3.8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time3.7 ns
Turn-On Delay Time4.9 ns
Dimensions
Height1.016 mm
Length3.0226 mm
Width1.397 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité