onsemi FDN5618P

P-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, -1.25A, 170mΩ
$ 0.146
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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiFDN5630
N-Channel 60 V 0.5 W 100 mOhm 10 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-3
Diodes Inc.DMN6140LQ-7
N-Channel 60 V 140 mOhm 806 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
Diodes Inc.DMN6140L-13
DMN6140L Series 60 V 1.6 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS

Descriptions

Descriptions de onsemi FDN5618P fournies par ses distributeurs.

P-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, -1.25A, 170mΩ
P-Channel 60 V 0.170 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Surface Mount
This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-60V; Continuous Drain Current, Id:1.2A; On Resistance, Rds(on):0.17ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:SuperSOT-3 ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -1.25 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 230 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 8 / Rise Time ns = 16 / Turn-OFF Delay Time ns = 30 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 500
MOSFET, P, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1.25A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):170mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:20V; Power Dissipation Pd:500mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:1.2A; Current Temperature:25°C; Device Marking:618; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:500mW; Power Dissipation Pd:500mW; Pulse Current Idm:10A; SMD Marking:618; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds:60V; Voltage Vds Typ:-60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:-3V

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDN5618P.