Texas Instruments CSD16407Q5
$ 0.846
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | CSD16407Q5 | 5 | 11h | |||||||||
| DigiKey | 296-24252-1-ND | 2 836 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | CSD16407Q5 | 0 | 2500 | |||||||||
| Mouser | 595-CSD16407Q5 | 2 883 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-CSD16407Q5 | 9 780 | 40 | 12h |
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
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$ 0.963
Stock
481,266
144,116
Authorized Distributors
4
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
QFN
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
100 A
100 A
Threshold Voltage
1.6 V
-
Rds On Max
2.4 mΩ
2.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
3.1 W
3.1 W
Input Capacitance
2.66 nF
2.66 nF
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Ressources d’ingénierie
Voir les kits d'évaluation et les conceptions de référence pour Texas Instruments CSD16407Q5.
Kit d’évaluation
Pièces détachées
InfineonIRFH4226TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5 x 6 B package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH8318TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH8324TR2PBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 23A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
Descriptions
Descriptions de Texas Instruments CSD16407Q5 fournies par ses distributeurs.
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 3.3 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
the nexfet power mosfet has been designed to minimize losses in power conversion applications.
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R / MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
FET, N CH, SINGLE, 25V, 8SON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Power Dissipation Pd:3.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:100A; Package / Case:SON; Power Dissipation Pd:3.1W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:1.6V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
Texas Instruments possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Texas Instruments peut également être connu sous les noms suivants :
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageQFN
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Dual Supply Voltage25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.66 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.6 V
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time18.4 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time11.9 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5 mm
Thickness1 mm
Width6 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité