Infineon IRFH3702TR2PBF
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InfineonIRFH8334TRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 14A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
InfineonIRFH8330TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
InfineonIRFH8325TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFH3702TR2PBF fournies par ses distributeurs.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package
MOSFET, 30V, 16A, 7.1 MOHM, 9.6 NC QG, PQFN33
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin QFN T/R
MOSFET, N CH, 30V, 16A, PQFN33; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:16mA; Package / Case:PQFN; Power Dissipation Pd:2.8W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.51 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.8 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Elements1
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max7.1 mΩ
Recovery Time26 ns
Resistance7.1 MΩ
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
Dimensions
Height939.8 µm
Length2.9972 mm
Width2.9972 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité