Infineon IRFHM9331TR2PBF
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFHM9331TR2PBF | 0 | 1600 | Bulk | 11h | |||||||
| Microchip USA | IRFHM9331TR2PBF | 369 | 300 | Tray | 7d | |||||||
| Component Stockers USA | IRFHM9331TR2PBF | 643 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-IRFHM9331TR2PBF | 11 050 | 9 | 23h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFHM9331TR2PBF | 12 931 | 7 | Tape & Reel | 21h |
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-05-12
LTD Date2014-11-12
Pièces détachées
InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
InfineonIRFH8334TRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 14A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
InfineonIRFH8330TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFHM9331TR2PBF fournies par ses distributeurs.
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 3mm x 3mm package
MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN / Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R
MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -11A, 14.6 MOHM, 25VGS, PQFN3X3
MOSFET,P CH,DIODE,30V,11A,PQFN33; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-20V; Power Dissipation Pd:2.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-11A; Power Dissipation Pd:2.8W; Voltage Vgs Max:-25V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance14.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.543 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.8 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max10 mΩ
Recovery Time96 ns
Rise Time27 ns
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height939.8 µm
Length2.9972 mm
Width2.9972 mm
Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité