onsemi NTZD3154NT1G

Name: onsemi NTZD3154NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTZD3154NT1G

NTZD3154N: Small Signal MOSFET 20V 540mA 550 mOhm Dual N-Channel SOT-563 with ESD Protection

$ 0.1

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	3	NTZD3154NT1G	564 000	4K	Tape & Reel					0,059
Avnet	2	NTZD3154NT1G	512 000	4K						0,048	2d
Verical	5	NTZD3154NT1G	52 000	4K						0,055
Arrow Electronics	3	NTZD3154NT1G	3 880	1		0,374	0,232	0,146	0,096	0,086
Master Electronics		NTZD3154NT1G	52 000	4K						0,045

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Datasheet5 pagesIl y a 20 ans

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Master Electronics

Newark

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onsemiNTZD3154NT1G

onsemiNTZD3154NT5G

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$ 0.12

Stock

11,282,208

2,248,618

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-563

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

Continuous Drain Current (ID)

540 mA

Threshold Voltage

1 V

Rds On Max

550 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

6 V

Power Dissipation

250 mW

Input Capacitance

150 pF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-07-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiNTZD3155CT1G

Complementary Small Signal MOSFET with ESD protection 20V

Détails

onsemiNTZD3155CT2G

Complementary Small Signal MOSFET with ESD protection 20V

Détails

Diodes Inc.DMG1016V-7

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

Détails

Diodes Inc.DMN2004VK-7

Transistor, MOSFET, N-ch, Dual, 20V, 540mA, SOT-563, SMD

Détails

onsemiNTZD3152PT1G

Dual P-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection -20V, -430mA, 900mΩ

Détails

Diodes Inc.DMP2004VK-7

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi NTZD3154NT1G fournies par ses distributeurs.

NTZD3154N: Small Signal MOSFET 20V 540mA 550 mOhm Dual N-Channel SOT-563 with ESD Protection

North Star Micro

Dual N-Channel Small Signal MOSFET 20V, 540mA, 550mΩ

onsemi

Dual N-Channel 20 V 0.9 Ohm 2.5 nC 250 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-563

Future Electronics

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 540mA 6-Pin SOT-563 T/R

Avnet Japan

NFET SOT563 20V 540MA TR; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 540mA; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Power

Farnell

MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 0.54A, SOT-563-6; Channel Type:Dual N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:20V; Drain Source Voltage Vds P Channel:-; Continuous Drain Current Id N Channel:540mA; No. of Pins:6Pins; Product Range:-RoHS Compliant: Yes

Newark

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

LZChips

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

NTZD3154NT1G.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOT-563

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)540 mA

Current Rating540 mA

Drain to Source Breakdown Voltage20 V

Drain to Source Resistance550 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Element ConfigurationDual

Fall Time4 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)6 V

Input Capacitance150 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation250 mW

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation250 mW

Rds On Max550 mΩ

Resistance400 MΩ

Rise Time4 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage1 V

Turn-Off Delay Time16 ns

Turn-On Delay Time6 ns

Voltage Rating (DC)20 V

Dimensions

Height600 µm

Length1.7 mm

Width1.3 mm

Fiches techniques et documents

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Datasheet5 pagesIl y a 20 ans

IHS

Master Electronics

Newark

element14

Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs StatementN/AN/A