onsemi NTZD3152PT1G

Name: onsemi NTZD3152PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTZD3152PT1G

Dual P-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection -20V, -430mA, 900mΩ

$ 0.095

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	NTZD3152PT1G	9 400	16K							2d
Future Electronics		NTZD3152PT1G	8 000	4K	Tape & Reel					0,091
Newark	2	NTZD3152PT1G	2 652	5	Cut Tape		0,239	0,157	0,110	0,110
Arrow Electronics	3	NTZD3152PT1G	398	1		0,345	0,210	0,132	0,132	0,132
Verical	3	NTZD3152PT1G	3 396	3396						0,065

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JRH Electronics

Datasheet5 pagesIl y a 20 ans

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onsemiNTZD3152PT1G

onsemiNTZD3152PT1H

Price @ 1000

$ 0.095

$ 0.088

Stock

1,491,927

1,629,323

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-563

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

Continuous Drain Current (ID)

430 mA

Threshold Voltage

Rds On Max

900 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

6 V

Power Dissipation

250 mW

280 mW

Input Capacitance

175 pF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-05-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiNTZD3154NT1G

NTZD3154N: Small Signal MOSFET 20V 540mA 550 mOhm Dual N-Channel SOT-563 with ESD Protection

Détails

onsemiNTZD3154NT2G

Dual N-Channel Small Signal MOSFET 20V, 540mA, 550mΩ

Détails

VishaySI1016X-T1-GE3

N/P Channel 20 V 0.41/0.7 Ohm 250 mW SMT Power Mosfet - SC-89-6

Détails

onsemiNTZD3155CT2G

Complementary Small Signal MOSFET with ESD protection 20V

Détails

Diodes Inc.DMP2004VK-7

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R

Détails

Diodes Inc.DMN2004VK-7

Transistor, MOSFET, N-ch, Dual, 20V, 540mA, SOT-563, SMD

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi NTZD3152PT1G fournies par ses distributeurs.

Dual P-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection -20V, -430mA, 900mΩ

onsemi

Dual P-Channel 20 V 500 mOhm 250 mW Small Signal MOSFET - SOT-563

Future Electronics

NTZD3152PT1G DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.43 A, 20 V, 6-PIN SOT-563

RS (Formerly Allied Electronics)

PFET SOT563 20V 430MA TR; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: 430mA; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Pow

Farnell

Channel Type:Dual P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:-; Drain Source Voltage Vds P Channel:20V; Continuous Drain Current Id N Channel:-; Continuous Drain Current Id P Channel:430Ma; No. Of Pins:6Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTZD3152PT1G.

Newark

Images

TME

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

LZChips

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

NTZD3152PT1G.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOT-563

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)430 mA

Current Rating-430 mA

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance900 mΩ

Element ConfigurationDual

Fall Time12 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)6 V

Input Capacitance175 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation280 mW

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation250 mW

Rds On Max900 mΩ

Resistance500 mΩ

Rise Time12 ns

Schedule B8541210080

Turn-Off Delay Time35 ns

Turn-On Delay Time10 ns

Voltage Rating (DC)-20 V

Dimensions

Height600 µm

Length1.7 mm

Width1.3 mm

Fiches techniques et documents

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Datasheet5 pagesIl y a 20 ans

IHS

Upverter

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs StatementN/AN/A