Diodes Inc. DMN2004VK-7
$ 0.144
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | DMN2004VK-7 | 69 000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | DMN2004VK-7 | 18 000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN2004VK-7 | 1 950 | 913 | |||||||||
| DigiKey | DMN2004VKDICT-ND | 13 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2004VK-7 | 0 | 1 | 22h |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -37.65%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
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Pièces détachées
Diodes Inc.DMC2004VK-7
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.67A/0.53A 6-Pin SOT-563 T/R / MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
onsemiNTZD3156CT1G
Small Signal MOSFET 20V 540mA 550 mOhm Dual Complementary SOT-563 With 100K G-S Resistors
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMN2004VK-7 fournies par ses distributeurs.
Transistor, MOSFET, N-ch, Dual, 20V, 540mA, SOT-563, SMD
MOSFET Array, Dual N Channel, 20 V, 540 mA, 550 Milliohms, SOT-563, 6 Pins
DMN2004VK Series 20 V 550 mOhm Dual N-Channel Enhancement Mode Transistor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-563
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight3.005049 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)540 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time36.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance150 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation250 mW
Rds On Max550 mΩ
Resistance550 mΩ
Rise Time13.3 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time53.5 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height600 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité