onsemi FDG6301N-F085
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | FDG6301N_F085 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Farnell | FDG6301N-F085 | 0 | 5 | Cut Tape | 7h | |||||||
| Win Source | WS-FDG6301N_F085 | 119 960 | 250 | 22h | ||||||||
| Worldway Electronics | FDG6301N_F085 | 26 425 | 7 | 2h | ||||||||
| Aztech | FDG6301N-F085 | 10 362 | 1d |
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDG6301N-F085.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDG6301N-F085, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.158
Stock
592,088
1,636,437
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SC
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
220 mA
220 mA
Threshold Voltage
850 mV
850 mV
Rds On Max
4 Ω
4 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
300 mW
300 mW
Input Capacitance
9.5 pF
9.5 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2008-10-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDG6301N-F085 fournies par ses distributeurs.
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Dual N-Channel Digital FET 25 V, 0.22 A, 4 Ω
N-Channel Power Mosfet/Tape Reel |Onsemi FDG6301N_F085
MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 0.22A, 150DEG C
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
FDG6301N_F085 Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 0.22A, 150DEG C; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 220mA; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 2.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage
These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)220 mA
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationDual
Fall Time3.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance9.5 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 mW
Rds On Max4 Ω
Rise Time4.5 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage850 mV
Turn-Off Delay Time4 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDG6301N-F085.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité