onsemi FDG6322C

Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
$ 0.141
EOL
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsFDG6322C6
19h
Newark
2
FDG6322C03KTape & Reel
AvnetFDG6322C06K
3d
Farnell
3
FDG6322C_05Cut Tape
18h
element14 APAC
2
FDG6322C_05Cut Tape
11h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDG6322C.

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-02-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Pièces détachées

onsemiFDG6303N
Transistor MOSFET Negative Channel 25 Volt 0.5A 6-Pin SC-70 T/R
Détails
onsemiFDG6321C
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
Détails
VishaySI1062X-T1-GE3
SI1062X-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.53 A, 20 V, 3-PIN SC-89
Détails
VishaySI1023CX-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R
Détails
VishaySI1012X-T1-GE3
Single N-Channel 20 V 0.7 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SC-89
Détails
onsemiFDG6304P
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-70 T/R
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDG6322C fournies par ses distributeurs.

Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
EBV Elektronik
Transistor: N+P-MOSFET; unipolar; 25V/-25V; 0.22A/-0.41A; 4/1.1ohm; 0.3W; -55+150 deg.C; SMD; SC70-6
Maritex
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET, N & P CH, 25V, 220MA, SC-70; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:220mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):2.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:850mV; Power Dissipation Pd:300mW; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Farnell
These dual N & P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
Fairchild Semiconductor

Images

element14 APAC
Farnell
Newark
TME
iiiC
Rochester Electronics
Jameco
element14
LZChips

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDG6322C.
  • FDG6322C_