onsemi FDG6320C
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-11-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-01-31
LTD Date2023-01-31
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDG6320C fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL, NP, SMD, 6-SC-70; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:220mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:850mV; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:220mA; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:850mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
These dual N & P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETS. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)220 mA
Current Rating220 mA
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Dual Supply Voltage25 V
Element ConfigurationDual
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance9.5 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation300 mW
Rds On Max4 Ω
Resistance4 Ω
Rise Time8 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage850 mV
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité