onsemi FCP11N60

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 11 A, 380 mΩ, TO-220
$ 1.562
Production
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Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Price @ 1000
$ 1.562
$ 1.246
$ 1.246
Stock
241,390
837,083
837,083
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
11 A
Threshold Voltage
5 V
-
-
Rds On Max
380 mΩ
380 mΩ
380 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
20 V
20 V
Power Dissipation
125 W
125 W
125 W
Input Capacitance
1.49 nF
1.2 nF
1.2 nF

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Pièces détachées

onsemiFCP11N60F
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, FRFET®, 600 V, 11 A, 380 mΩ, TO-220
Single N-Channel 500 V 0.85 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Single N-Channel 500 V 0.45 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
onsemiFQP10N60C
Trans MOSFET N-CH 600V 9.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Rail
Transistor MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB
onsemiFQP12N60C
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 12 A, 650 mΩ, TO-220

Descriptions

Descriptions de onsemi FCP11N60 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 11 A, 380 mΩ, TO-220
N-Channel 600 V 0.38 O 125 W 52 nC Flange Mount SuperFET FRFET Mosfet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):320mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:11A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Pulse Current Idm:30A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
SuperFET® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s first genera-tion of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switch-ing performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Con-sequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FCP11N60.