Vishay IRFB13N50APBF
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-12-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-04
LTD Date2025-05-04
Pièces détachées
VishaySIHP14N50D-GE3
MOSFET, N-CH, 500V, 14A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Descriptions
Descriptions de Vishay IRFB13N50APBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 500 V 0.45 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 500V, 14A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 14A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.45ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Di
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Dual Supply Voltage500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.91 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation250 W
Rds On Max450 mΩ
Resistance450 mΩ
Rise Time39 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité