Infineon SPP11N60C3XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
$ 1.246
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Price @ 1000
$ 1.246
$ 1.669
$ 1.669
Stock
829,063
218,511
218,511
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
11 A
Threshold Voltage
-
5 V
5 V
Rds On Max
380 mΩ
380 mΩ
380 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
30 V
30 V
Power Dissipation
125 W
125 W
125 W
Input Capacitance
1.2 nF
1.49 nF
1.49 nF

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
STMicroelectronicsSTP15NM60ND
N-channel 600 V, 0.27 Ohm typ., 14 A FDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
STMicroelectronicsSTP18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP15NM65N
N-channel 650 V, 0.35 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package

Descriptions

Descriptions de Infineon SPP11N60C3XKSA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 125 W
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N Channel Mosfet, 650V, 11A, To-220; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.38Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Replacement for 600V CoolMOS C3 is 600V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP000013526
  • SP000681040
  • SPP 11N60C3
  • SPP11N60C3
  • SPP11N60C3.
  • SPP11N60C3HKSA1