Infineon IRLR2908TRPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 80V; RDS(ON) 22.5 Milliohms; ID 39A; D-Pak (TO-252AA); -55de
$ 0.828
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
IRLR2908TRPBF202 0002K
1d
Newark
2
IRLR2908TRPBF7481Cut Tape
Future Electronics
2
IRLR2908TRPBF30 0002KTape & Reel
RutronikTMOSP126242 0002K
8h
DigiKey
3
IRLR2908TRPBFCT-ND7171Cut Tape

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRLR2908TRPBF.

IHS

Datasheet11 pagesIl y a 15 ans
Datasheet12 pagesIl y a 15 ans

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIRLR2908TRPBF
InfineonAUIRLR2908
Price @ 1000
$ 0.828
$ 2.05
Stock
1,048,006
94,540
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
80 V
Continuous Drain Current (ID)
30 A
30 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
Rds On Max
28 mΩ
28 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
120 W
120 W
Input Capacitance
1.89 nF
1.89 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRLR2908PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 22.5 Milliohms;ID 39A;D-Pak (TO-252AA);-55de
Détails
InfineonAUIRLR2908
Automotive Q101 80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Détails
InfineonIRFR3518TRPBF
Single N-Channel 80 V 29 mOhm 37 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Détails
onsemiFDD5680
N-Channel 60 V 21 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-3
Détails
VishaySQD25N06-22L_GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252 / Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Détails
STMicroelectronicsSTD30N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLR2908TRPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 22.5 Milliohms;ID 39A;D-Pak (TO-252AA);-55de
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Win Source
Single N-Channel 80 V 30 mOhm 33 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Future Electronics
80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 30 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 80V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
MOSFET; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2000; Transistor Type:MOSFET ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level
Infineon
MOSFET, N CH, 80V, 30A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0225ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V;
element14 APAC

Images

Infineon
RS (Formerly Allied Electronics)
Newark
element14 APAC
TME
Conrad
iiiC
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRLR2908TRPBF
  • SP001553170