Infineon IRFR3518TRPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-09-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
InfineonAUIRFR2607Z
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
InfineonAUIRFR2607ZTRL
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 7.3pF 50Volts C0G +/-0.05pF
STMicroelectronicsSTD30N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFR3518TRPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 80 V 29 mOhm 37 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 80V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET, N-CH, 80V, 38A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 38A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance29 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max29 mΩ
Resistance29 MΩ
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité