Infineon IRLR2908PBF

Name: Infineon IRLR2908PBF
Brand: Infineon
SKU: IRLR2908PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 80V; RDS(ON) 22.5 Milliohms; ID 39A; D-Pak (TO-252AA); -55de

$ 1.6

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLR2908PBF	0	5	Bulk		1,780	1,600	1,600	1,600	12h
Win Source	WS-IRLR2908PBF	18 130	60				0,876	0,584	0,584	23h
Worldway Electronics	IRLR2908PBF	11 176	7	Tube		1,696	1,664	1,600	1,568	22h
Aztech	IRLR2908PBF	7 055			0,360	0,360	0,360	0,360	0,360	18h
Anlinkda	IRLR2908PBF	43 493			0,210	0,188	0,172	0,166	0,163	22h

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Newark

Datasheet11 pagesIl y a 15 ans

Datasheet12 pagesIl y a 21 ans

IHS

DigiKey

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2003-02-13

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

Pièces détachées

InfineonIRLR2908TRPBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 22.5 Milliohms;ID 39A;D-Pak (TO-252AA);-55de

Détails

InfineonIRLR2908TRLPBF

Single N-Channel 80 V 28 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3

Détails

InfineonAUIRLR2908

Automotive Q101 80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS

Détails

onsemiFDD5680

N-Channel 60 V 21 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-3

Détails

VishaySQD25N06-22L_GE3

MOSFET N-CH 60V 25A TO252 / Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Détails

STMicroelectronicsSTD30N10F7

N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLR2908PBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 22.5 Milliohms;ID 39A;D-Pak (TO-252AA);-55de

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 80 V 28 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 80V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level

Infineon

MOSFET, N, 80V, 39A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:39A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):28mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:120W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:30A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.3°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:28mohm; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:120W; Power Dissipation Pd:120W; Pulse Current Idm:150A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:80V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V

element14 APAC

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IRFIRLR2908PBF
IRLR2908 PBF
IRLR2908PBF.
SP001567410

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals1

Technical

Continuous Drain Current (ID)30 A

Current Rating30 A

Drain to Source Breakdown Voltage80 V

Drain to Source Resistance28 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)80 V

Dual Supply Voltage80 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time55 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)16 V

Input Capacitance1.89 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation120 W

Min Breakdown Voltage80 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2.5 V

Number of Elements1

On-State Resistance28 mΩ

Package Quantity3000

Power Dissipation120 W

Rds On Max28 mΩ

Resistance28 mΩ

Rise Time95 ns

Threshold Voltage2.5 V

Turn-Off Delay Time36 ns

Turn-On Delay Time12 ns

Voltage Rating (DC)80 V

Dimensions

Height2.3876 mm

Length6.7056 mm

Width6.22 mm

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Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans