Infineon IRL6372TRPBF

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
$ 0.304
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIRL6372TRPBF4 0004K
Rochester ElectronicsIRL6372TRPBF342
19h
AvnetIRL6372TRPBF04K
21h
Farnell
3
IRL6372TRPBF05Cut Tape
19h
HQonlineDS0102632241
>1w

Fiches techniques et documents

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IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31

Pièces détachées

InfineonIRL6372PBF
Dual N-Channel 30 V 2.0 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
Détails
InfineonIRL6342TRPBF
Single N-Channel 30 V 14.6 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
InfineonIRF8313TRPBF
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC T/R
Détails
Diodes Inc.DMS3016SSS-13
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC T/R
Détails
onsemiFDS8878
N-Channel 30 V 14 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Détails
onsemiFDS8858CZ
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRL6372TRPBF fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
EBV Elektronik
30V Dual N-Channel Low Logic Level HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Lead-Free package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 0.0179ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
DUAL N CH HEXFET POWER MOSFET, 30V, 8.1A, SOIC-8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
element14 APAC
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = 8.1 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 17.9 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 15 / Rise Time ns = 13 / Turn-OFF Delay Time ns = 34 / Turn-ON Delay Time ns = 5.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2
Distrelec

Images

Infineon
TME
Distrelec
Farnell
RS APAC
Conrad
LZChips
International Rectifier
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRL6372TRPBF
  • IRL6372
  • SP001569038