Infineon IRL6342TRPBF

Name: Infineon IRL6342TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRL6342TRPBF

Single N-Channel 30 V 14.6 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

$ 0.172

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	IRL6342TRPBF	22	1		0,335	0,172	0,172	0,172	0,172
Farnell	IRL6342TRPBF	0	1		0,879*	0,592*	0,389*	0,389*	0,389*	9h
HQonline	DS0075463	5 248	1		0,166	0,166	0,166	0,166	0,166	>1w
Microchip USA	IRL6342TRPBF	1 986	3K						0,760	6d
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.	IRL6342TRPBF	4 743	1	Tape & Reel	0,150	0,150	0,150	0,150	0,150	12h

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-01-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRL6372PBF

Dual N-Channel 30 V 2.0 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8

Détails

InfineonSI4410DYTRPBF

Single N-Channel 30 V 0.0135 Ohm 30 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Détails

STMicroelectronicsSTS11N3LLH5

Mosfet Transistor, N Channel, 11 A, 30 V, 0.0117 Ohm, 10 V, 1 V Rohs Compliant: Yes

Détails

Diodes Inc.DMS3016SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC T/R

Détails

InfineonIRF7403TRPBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.5A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF

Détails

VishaySI4128DY-T1-GE3

N-Channel 30 V 0.024 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRL6342TRPBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 30 V 14.6 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC T/R

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:9.9A; On Resistance Rds(On):0.012Ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.1V Rohs Compliant: Yes |Infineon IRL6342TRPBF.

Newark

MOSFET, N-CH, 30V, 9.9A, 8SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.1V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

Farnell

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon

Images

International Rectifier

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IRFIRL6342TRPBF
IRL6342
IRL6342TRPBF.
SP001572774

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOIC

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)9.9 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance14.6 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Fall Time14 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance1.025 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.5 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs1.1 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance14.6 mΩ

Package Quantity4000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max14.6 mΩ

Resistance14.6 MΩ

Rise Time12 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage1.1 V

Turn-Off Delay Time33 ns

Turn-On Delay Time6 ns

Dimensions

Height1.75 mm

Fiches techniques et documents

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Datasheet9 pagesIl y a 15 ans

Datasheet8 pagesIl y a 15 ans

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans