onsemi FDS8858CZ
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-04-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS8858CZ fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO
Dual N/P-Channel 30 V 1.6 W 24/46 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 30V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
These dual N and P-Channel enhancement mode power MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -10.08%
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.205 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.6 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation900 mW
Rds On Max17 mΩ
Resistance17 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité