Infineon IRL6372PBF

Dual N-Channel 30 V 2.0 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRL6372PBF03800Bulk
11h
FarnellIRL6372PBF01
7h
Component Stockers USAIRL6372PBF564
>1wk
Win SourceWS-IRL6372PBF3 75060
22h
Worldway ElectronicsIRL6372PBF7 1217Tube
2h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet8 pagesIl y a 15 ans
Datasheet9 pagesIl y a 15 ans

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIRL6372PBF
InfineonIRL6372TRPBF
Price @ 1000
$ 0.304
Stock
191,530
402,606
Authorized Distributors
2
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
8.1 A
8.1 A
Threshold Voltage
1.1 V
-
Rds On Max
17.9 mΩ
17.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
1.02 nF
1.02 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

Pièces détachées

InfineonIRL6342TRPBF
Single N-Channel 30 V 14.6 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
Diodes Inc.DMS3016SSS-13
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC T/R
Détails
InfineonIRF7403TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.5A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF
Détails
InfineonSI4410DYTRPBF
Single N-Channel 30 V 0.0135 Ohm 30 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
VishaySI4830CDY-T1-GE3
Si4830CDY Series Dual N-Channel 30 V 20 mOhm 2.9 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Détails
VishaySI4410BDY-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRL6372PBF fournies par ses distributeurs.

Dual N-Channel 30 V 2.0 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
Future Electronics
30V Dual N-Channel Low Logic Level HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Lead-Free package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC Tube
Avnet
MOSFET Dual N-Ch 30V 8.1A HEXFET SOIC8
RS (Formerly Allied Electronics)
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 0.0179ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
Benefits: RoHS Compliant; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified MSL1; Dual N-Channel MOSFET | Target Applications: Battery Protection
Infineon
MOSFET,NN CH,W DIODE,30V,8.1A,SO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Drain Current Id:8.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Power Dissipation Pd:2W
Farnell

Images

Infineon
TME
Distrelec
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
International Rectifier

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRL6372PBF
  • SP001568406