Infineon IRFS4115TRLPBF
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$ 1.34
Stock
642,410
230,611
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
99 A
99 A
Threshold Voltage
-
5 V
Rds On Max
12.1 mΩ
12.1 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
Input Capacitance
5.27 nF
5.27 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFS4321TRLPBF
Single N-Channel 150 V 360 W 71 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
onsemiFDB075N15A
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 130 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS4115TRLPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 150V 12.1 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Surface Mount
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 150V, 195A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0103ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V;
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 99 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 150 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 10.3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 39 / Rise Time ns = 73 / Turn-OFF Delay Time ns = 41 / Turn-ON Delay Time ns = 73 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 375
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)99 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance12.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance12.1 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation375 W
Rds On Max12.1 mΩ
Resistance11.8 MΩ
Rise Time73 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.652 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité