Infineon IRFS4321PBF
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Obsolete
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Ce composant
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$ 4.53
$ 1.48
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Stock
703,190
499,791
499,791
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
5 V
5 V
5 V
Rds On Max
15 mΩ
15 mΩ
15 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
30 V
Power Dissipation
330 W
330 W
330 W
Input Capacitance
4.46 nF
4.46 nF
4.46 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS4321PBF fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Negative Channel 150 Volt 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRFS4321PBF N-channel MOSFET Transistor, 83 A, 150 V, 3-Pin D2PAK
MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK N-Channel 150 V 85A (Tc) 350W (Tc) Surface Mount D2PAK
Single N-Channel 150 V 15 mOhm 71 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 150V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, 150V, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:83A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:330W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:4321; Current Id Max:83A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:330W; Pulse Current Idm:330A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating83 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.46 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance15 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation330 W
Rds On Max15 mΩ
Recovery Time130 ns
Resistance15 MΩ
Rise Time60 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité