onsemi FDB075N15A
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Stock
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566,094
Authorized Distributors
6
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
110 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
7.5 mΩ
7.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
333 W
333 W
Input Capacitance
7.35 nF
5.595 nF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB075N15A fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 130 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 130A, 7.5mΩ
MOSFET-N-Channel, POWERTRENCH Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 150V, 130A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:130A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.00625ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.35 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation333 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation333 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time37 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité