onsemi FDB110N15A
$ 2.405
Production
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB110N15A fournies par ses distributeurs.
N-Channel 150 V 92 A 11 mOhm N-Channel Power Trench Mosfet - D2PAK-3
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 92A, 11mΩ
N CH MOSFET, POWERTRENCH, 150V, 92A, D2PAK - More Details
Power Field-Effect Transistor, 92A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 150V, 92A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:92A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.00925ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)92 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.51 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation234 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation234 W
Rds On Max11 mΩ
Rise Time26 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité