Infineon IRFS3006-7PPBF
$ 6.94
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRFS3006-7PPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 6.94
$ 2.162
Stock
129,571
684,981
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
240 A
240 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
2.1 mΩ
2.1 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
Input Capacitance
8.85 nF
8.85 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Pièces détachées
InfineonIRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonIRFS7534TRL7PP
INFINEON IRFS7534TRL7PP MOSFET Transistor, N Channel, 240 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3.7 V
InfineonIRFS3107TRL7PP
N CH POWER MOSFET. HEXFET, 75V, 260A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS3006-7PPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 60 V 2.1 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Pin package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, 60V, 240A, 2.1MOHM, 200NC QG, D2PAK-7
Trans MOSFET N-CH 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive
MOSFET, N-CH, 60V, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:293A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:375W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:8850pF; Current Id Max:293A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:375W; Power Dissipation Pd:375W; Pulse Current Idm:1172A; Reverse Recovery Time trr Typ:44ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)240 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time69 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.85 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.1 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation375 W
Rds On Max2.1 mΩ
Resistance2.1 MΩ
Rise Time61 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time118 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité