Infineon IRFS7530TRLPBF
$ 1.548
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRFS7530TRLPBF | 4 703 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRFS7530TRLPBF | 240 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IRFS7530TRLPBF | 18 400 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | IRFS7530TRLPBF | 5 660 | 10h | |||||||||
| DigiKey | IRFS7530TRLPBFCT-ND | 6 747 | 1 | Cut Tape |
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFS7534-7PPBF
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK / N-Channel 60 V 240A (Tc) 290W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
InfineonIRFS7730-7PPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS
InfineonIRFS7534TRLPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH260N6F6-6
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
STMicroelectronicsSTH265N6F6-6AG
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTH240N75F3-6
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-6 package
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS7530TRLPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 2 mOhm 274 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET,60V, 195A, 2.0mOhm, 274 nC, D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time104 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.703 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation375 W
Rds On Max2 mΩ
Rise Time141 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time172 ns
Turn-On Delay Time52 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité