Infineon IRFS3107TRL7PP
$ 2.18
EOL
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | IRFS3107TRL7PPCT-ND | 1 160 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRFS3107TRL7PP | 2 459 | 1 | |||||||||
| Rutronik | TMOSP12385 | 2 400 | 800 | 13h | ||||||||
| Rochester Electronics | IRFS3107TRL7PP | 1 315 | 5h | |||||||||
| Future Electronics | IRFS3107TRL7PP | 0 | 800 | Tape & Reel |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-04-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Pièces détachées
InfineonIRFS7730-7PPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS3107TRL7PP fournies par ses distributeurs.
N CH POWER MOSFET. HEXFET, 75V, 260A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Pin package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 260 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Single N-Channel 75 V 2.6 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 370 W
Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive
MOSFET, N-CH, 75V, 260A, TO-263-7; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 260A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 370W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 7Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)260 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.2 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation370 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.6 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation370 W
Rds On Max2.6 mΩ
Rise Time80 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height5.084 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité