Infineon IRFR3607TRPBF

Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
$ 0.719
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Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Price @ 1000
$ 0.719
$ 2.52
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Stock
2,760,064
126,134
126,134
Authorized Distributors
6
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
56 A
56 A
56 A
Threshold Voltage
2 V
2 V
2 V
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
3.07 nF
3.07 nF
3.07 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFR3607PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7.34 Milliohms;ID 56A;D-Pak;PD 140W;VGS +/-2
Single N-Channel 55V 7.5 mOhm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
N-Channel UltraFET® Trench MOSFET, 75V, 50A, 13mΩ
N-Channel 75 V 50 A 16 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252AA
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFR3607TRPBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; Continuous Drain Current Id:56A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:140W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFR3607TRPBF.
MOSFET, N CH, 75V, 56A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7.34mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFR3607TRPBF.
  • SP001567010