Infineon IRFR1010ZTRPBF

Single N-Channel 55V 7.5 mOhm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
$ 0.749
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
DigiKey
3
448-IRFR1010ZTRPBFCT-ND7 2301Cut Tape
Avnet
2
49AC03105 3901
11h
Newark
2
IRFR1010ZTRPBF5 3901Cut Tape
Arrow Electronics
2
IRFR1010ZTRPBF5 9651
Future Electronics
2
IRFR1010ZTRPBF02KTape & Reel

Fiches techniques et documents

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Future Electronics

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIRFR1010ZTRPBF
InfineonIRFR1010ZPBF
InfineonIRFR1010ZPBF
Price @ 1000
$ 0.749
$ 0.526
$ 0.526
Stock
825,396
204,639
204,639
Authorized Distributors
6
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
7.5 mΩ
7.5 mΩ
7.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
2.84 nF
2.84 nF
2.84 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRFR4104TRLPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Détails
onsemiFDD8453LZ-F085
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 50A, 6.5mΩ
Détails
InfineonIRFR4104TRPBF
Single N-Channel 40V 5.5 mOhm 59 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Détails
InfineonIRFR4104PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 4.3Milliohms;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
Détails
VishaySIS434DN-T1-GE3
Single N-Channel 40 V 0.0076 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Détails
STMicroelectronicsSTD64N4F6AG
Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mOhm typ., 54 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFR1010ZTRPBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 55V 7.5 mOhm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Future Electronics
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Infineon
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:91A; On Resistance, Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Images

Infineon
Newark
TME
Future Electronics
Newark
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFR1010ZTRPBF.
  • SP001571020