Infineon IRFHM8329TRPBF
$ 0.228
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFHM8329TRPBF | 3 464 | 14h | |||||||||
| Farnell | IRFHM8329TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 14h | |||||||
| Microchip USA | IRFHM8329TRPBF | 1 836 | 3K | 8h | ||||||||
| Verical | IRFHM8329TRPBF | 2 622 | 1316 | |||||||||
| Win Source | WS-IRFHM8329TRPBF | 1 300 | 50 | 15h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonBSC886N03LSGATMA1
Infineon Technologies N channel OptiMOS3 power MOSFET, 30 V, 13 A, TDSON-8, BSC886N03LSGATMA1
InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
InfineonIRFHM830DTRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFHM8329TRPBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 30 V 6.1 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PQFN 3.3X3.3 8L, RoHS
Infineon SCT
TAPE AND REEL / MOSFET, 30V, 25A, 4.9 mOhm, 13nC Qg, PQFN 3.3x3.3
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low Thermal Resistance to PCB (less than 3.8C/W); Low Profile (less than 1.05 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified Industrial; Qualified MSL1 | Target Applications: Battery Protection; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side; Load Switch Low Side; Point of Load ControlFET
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.1 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.6 W
Rds On Max6.1 mΩ
Rise Time74 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height800 µm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité