Infineon BSC886N03LSGATMA1

Name: Infineon BSC886N03LSGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC886N03LSGATMA1

Infineon Technologies N channel OptiMOS3 power MOSFET, 30 V, 13 A, TDSON-8, BSC886N03LSGATMA1

$ 0.262

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		BSC886N03LSGATMA1	8 258	1		0,132	0,132	0,132	0,132	0,132
Rochester Electronics		BSC886N03LSGATMA1	88 225					0,316	0,262	0,234	21h
Farnell	2	BSC886N03LSGATMA1	4 936	1	Cut Tape	1,169*	0,725*	0,475*	0,305*	0,305*	20h
Mouser		726-BSC886N03LSG	5 000	1	Tape & Reel	1,140	0,707	0,463	0,324	0,265
Verical	5	BSC886N03LSGATMA1	8 258	9			0,132	0,132	0,132	0,132

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Datasheet10 pagesIl y a 15 ans

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Future Electronics

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iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2008-10-21

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2023-03-31

LTD Date2023-09-30

Pièces détachées

InfineonBSC050N03LSGATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8

Détails

onsemiNTMFS4837NT1G

Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 74A Tc 74A 2.2W 10ns

Détails

InfineonIRFH8325TRPBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS

Détails

InfineonIRFHM8329TRPBF

Single N-Channel 30 V 6.1 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm

Détails

onsemiNTMFS4839NT1G

Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.5A Ta 64A Tc 64A 2.17W 7ns

Détails

NXP SemiconductorsPH8030L,115

Trans MOSFET N-CH 30V 76.7A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

Détails

InfineonBSC884N03MS G

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP

Détails

InfineonIRLML0030TRPBF

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 27ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23

Détails

InfineonIRLML2030TRPBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS

Détails

onsemiNDS352AP

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor -30V, -0.9A, 300mΩ

Détails

VishaySQ2348ES-T1_GE3

3W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 14.5nC@ 10 V 1N 30V 24m¦¸@ 12A,10V 8A 540pF@15V SOT-23-3,TO-236 1.12mm

Détails

VishaySI2369DS-T1-GE3

Single P-Channel 30 V 0.04 Ohm 17 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC886N03LSGATMA1 fournies par ses distributeurs.

Infineon Technologies N channel OptiMOS3 power MOSFET, 30 V, 13 A, TDSON-8, BSC886N03LSGATMA1

Burklin Elektronik

Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Verical

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 65 A, 0.005 ohm, PG-TDSON, Surface Mount

Avnet

Mosfet, N-Ch, 30V, 65A, Pg-Tdson-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.005Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon BSC886N03LSGATMA1

Newark

Images

Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

BSC886N03LS G
BSC886N03LSG

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-236-3

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)13 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance9.2 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Fall Time3 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.1 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation39 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max6 mΩ

Rise Time3.2 ns

Threshold Voltage2.2 V

Turn-Off Delay Time51 ns

Turn-On Delay Time13 ns

Dimensions

Height1.1 mm

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A