Infineon IRFHM830DTRPBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRFHM830DTRPBF04KBulk
15h
FarnellIRFHM830DTRPBF01
23h
Win SourceWS-IRFHM830DTRPBF8 24570
1d
Worldway Electronics
2
IRFHM830D12 3317
23h
ICPartonlineIRFHM830DTRPBF19 250
>1wk

Fiches techniques et documents

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element14 APAC

Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIRFHM830DTRPBF
InfineonIRFHM830DTR2PBF
Price @ 1000
$ 1.29
Stock
157,885
50,225
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
VQFN
VQFN
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
20 A
Threshold Voltage
1.8 V
1.8 V
Rds On Max
4.3 mΩ
4.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
37 W
-
Input Capacitance
1.797 nF
1.797 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-12-02
LTD Date2017-09-02

Pièces détachées

InfineonIRFHM830TRPBF
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Détails
InfineonIRFH5255TR2PBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package
Détails
InfineonIRLHM630TRPBF
INFINEON IRLHM630TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFHM830DTRPBF fournies par ses distributeurs.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, 30V, 40A, 4.3 MOHM, 13 NC QG, 1.1 OHM RG, MONOFETKY, PQFN 3.3X3.3
RS (Formerly Allied Electronics)
Synchronous MOSFET for Buck Converters | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Win Source
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R
Avnet
MOSFET,N CH,SCH DIODE,30V,20A,PQFN33; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3400µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:20A; Power Dissipation Pd:2.8W; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Benefits: RoHS Compliant; Low Thermal Resistance to PCB (less than 3.4C/W); Low Profile (less than 1.0 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Schottky intrinsic diode with low forward voltage; Qualified Industrial; Qualified MSL1 | Target Applications: Battery Protection; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side; Load Switch Low Side; Point of Load ControlFET
Infineon

Images

element14
Augswan
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
International Rectifier

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFHM830D
  • IRFHM830DTRPBF.
  • SP001554840