Infineon IRFH5306TRPBF
Obsolete
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Fiche technique officielleIl y a 11 ans
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-12-02
LTD Date2017-09-02
Pièces détachées
InfineonIRFH8330TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
InfineonIRFHM8329TRPBF
Single N-Channel 30 V 6.1 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
NXP SemiconductorsPSMN8R0-30YLC,115
N-channel 30 V 7.9 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
VishaySIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15.5 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK SO
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFH5306TRPBF fournies par ses distributeurs.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N-Channel, 30V, 44A, 8.1 mOhm max, 7.8 nC Qg, PQFN 5x6
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PQFN T/R
N CHANNEL MOSFET, 30V, 44A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:15A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0081ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDSon (less than 1.15 mO); Low Thermal Resistance to PCB (less than 0.8C/W); 100% Rg tested; Low Profile (less than 0.9 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified Industrial; Qualified MSL1 | Target Applications: Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Point of Load ControlFET
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Modèles CAO
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance13.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time6.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.125 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation26 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance8.1 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation26 W
Rds On Max8.1 mΩ
Resistance8.1 MΩ
Rise Time26 ns
Turn-Off Delay Time9.1 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height838.2 µm
Length5.9944 mm
Width5 mm
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Fiche technique officielleIl y a 11 ans
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité