Vishay SIRA18DP-T1-GE3
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-20
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7821PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
VishaySI4174DY-T1-GE3
2.5W(Ta),5W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 27nC@ 10 V 1N 30V 9.5m¦¸@ 10A,10V 17A 985pF@15V SOIC-8 1.75mm
VishaySI4156DY-T1-GE3
Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Descriptions
Descriptions de Vishay SIRA18DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
SIRA18DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15.5 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK SO
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 33 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
MOSFET Devices; VISHAY; SIRA18DP-T1-GE3; 30 V; 33 A; 20 V; 3.3 W
Trans MOSFET N-CH 30V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 13.3A N-Ch G-IV
Vishay NMOS, Vds=30 V, 33 A, PowerPAK SO-8
N-Ch PowerPAK SO-8 BWL 30V 7.5mohm@10V
FET Input Operational Amplifier
MOSFET, N-CH, 30V, 33A, POWERPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:14.7W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation14.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max7.5 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.2 V
Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité