Infineon IRFH8330TRPBF
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Pièces détachées
InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
InfineonIRFH8334TRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 14A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
InfineonIRFH8325TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFH8330TRPBF fournies par ses distributeurs.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Infineon SCT
N-Channel 30 V 6.6 mOhm 20 nC SMT HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5X6 mm
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 17A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.6 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max6.6 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité