Infineon IRF9333PBF
Obsolete
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
$ 0.437
Stock
132,103
551,520
Authorized Distributors
2
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
9.2 A
9.2 A
Threshold Voltage
-1.8 V
-1.8 V
Rds On Max
19.4 mΩ
19.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
1.11 nF
1.11 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF9333PBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO / P-Channel 30 V 9.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N Tube
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; P-Channel MOSFET | Target Applications: Battery Protection; Load Switch High Side; Load Switch Low Side
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 30V, 0.0194ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET,P CH,30V,9.2A,SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Current Id Max:-9.2A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):15.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:2.5W; Operating ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance19.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time49 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.11 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance19.4 mΩ
Package Quantity3800
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max19.4 mΩ
Recovery Time36 ns
Rise Time44 ns
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité