Infineon IRF9332PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Pièces détachées
InfineonIRF7424TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 13.5 Milliohms;ID -11A;SO-8;PD 2.5W;gFS 17S
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF9332PBF fournies par ses distributeurs.
TUBE / MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -9.8A, 17.5 mOhm, -4.5V capable, SO-8
Trans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N Tube
MOSFET P-Channel 30V 9.8A HEXFET SOIC8
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; P-Channel MOSFET | Target Applications: Battery Protection; Load Switch High Side; Load Switch Low Side
Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.0175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET,P CH,DIODE,30V,9.8A,SO8; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):13600µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-9.8A; Power Dissipation Pd:2.5W; Voltage Vgs Max:-20V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance17.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.9 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance17.5 mΩ
Package Quantity3800
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max17.5 mΩ
Recovery Time54 ns
Rise Time47 ns
Threshold Voltage-1.9 V
Turn-Off Delay Time73 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité