onsemi FDS8880
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-18
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2026-01-01
LTD Date2026-07-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS8880 fournies par ses distributeurs.
TRANSISTOR, SINGLE, N-CHANNEL, POWERTRENCH MOSFET, 30V, 11.6A, SOIC8
N-Channel 30 V 10 mO Surface Mount PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 11.6A, 10mΩ
MOSFET, N CH, 30V, 11.6A, 8SOIC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11.6A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0079ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.6 A
Current Rating11.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.235 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max10 mΩ
Resistance10 MΩ
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité