Infineon IRF5806TRPBF
$ 0.141
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF5806TRPBF | 57 000 | 17h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF5806TRPBF | 0 | 3K | Bulk | 6h | |||||||
| Microchip USA | IRF5806 | 291 | 3500 | Tube | 3d | |||||||
| Win Source | WS-IRF5806 | 36 000 | 18 | 18h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF5806 | 15 105 | 7 | Tube | 16h |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF5806TRPBF fournies par ses distributeurs.
IRF5806TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 4 A, 20 V, 6-Pin TSOP
-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Infineon SCT
Single P-Channel 20 V 147 mOhm 11.4 nC HEXFET® Power Mosfet - TSOP-6
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.086ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; P-Channel MOSFET | Target Applications: DC Switches; Load Switch
MOSFET, P, 20V, TSOP-6; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.0471ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1.2V; Power Dis
MOSFET, N, 20V, TSOP-6; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:4A; Resistance, Rds On:0.086ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-1.2V; Case Style:TSOP; ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating-4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance86 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Dual Supply Voltage-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time126 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance594 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance86 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max86 mΩ
Resistance86 MΩ
Rise Time27 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-1.2 V
Turn-Off Delay Time94 ns
Turn-On Delay Time6.2 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité