Diodes Inc. DMP2130LDM-7
$ 0.227
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMP2130LDM-7 | 48 000 | 3K | 14h | ||||||||
| Verical | DMP2130LDM-7 | 48 000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | 31-DMP2130LDM-7CT-ND | 2 739 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP2130LDM-7 | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP2130LDM-7 | 0 | 3K |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Pièces détachées
Diodes Inc.DMP2033UVT-7
1.2W(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 10.4nC@ 4.5 V 1P 20V 65m¦¸@ 4.2A,4.5V 4.2A 845pF@15V TSOT-26
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMP2130LDM-7 fournies par ses distributeurs.
20V 3.4A 1.25W 80mΩ@4.5V,4.5A 1.25V@250uA P Channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin SOT-563 T/R
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.25W 12V 1.25V@ 250¦ÌA 7.3nC@ 4.5 V 1P 20V 80m¦¸@ 4.5A,4.5V 3.4A 443pF@16V SOT-26 1.6mm*1.2mm*600¦Ìm
P-Channel 20 V 3.4A (Ta) 1.25W Surface Mount SOT-26
MOSFETs - Low Threshold Voltage P-Channel
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance443 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.25 W
Rds On Max80 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height600 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité