onsemi FDC634P
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMP2033UVT-7
1.2W(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 10.4nC@ 4.5 V 1P 20V 65m¦¸@ 4.2A,4.5V 4.2A 845pF@15V TSOT-26
Descriptions
Descriptions de onsemi FDC634P fournies par ses distributeurs.
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -20V, -3.5A, 80mΩ
Transistor MOSFET P-Channel 20 Volt 3.5A 6-Pin SuperSOT
P-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6
This P-Channel 2.5V specified MOSFET uses Fairchild’s low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:3.5A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:800Mv; Power Dissipation:1.6W; No. Of Pins:6Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDC634P.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Current Rating-3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Dual Supply Voltage-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance779 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-800 mV
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max80 mΩ
Resistance80 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-800 mV
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité