onsemi SI3443DV
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-04-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-01-31
LTD Date2023-01-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi SI3443DV fournies par ses distributeurs.
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 65mΩ
Si3443DV Series 40 V 4 A 65 mOhm P-Channel Specified PowerTrench MOSFET - SSOT-6
MOSFET, P-CH, -20V, -4A, SOT-23-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-700
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the larger packages are impractical.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance640 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max65 mΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-700 mV
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité