Infineon IRF5210STRLPBF

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDS(ON) 60 Milliohms; ID -38A; D2Pak; PD 170W; -55degc
$ 1.625
Production
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Fiches techniques et documents

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IHS

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 1.625
$ 3.575
Stock
1,039,235
96,010
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
-100 V
-100 V
Continuous Drain Current (ID)
38 A
38 A
Threshold Voltage
-4 V
-
Rds On Max
60 mΩ
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.1 W
170 W
Input Capacitance
2.78 nF
2.78 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-08-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRF540NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 33 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 33 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel
Single N-Channel 100 V 77 mOhms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
STMicroelectronicsSTB30NF10T4
N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF5210STRLPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 60 Milliohms;ID -38A;D2Pak;PD 170W;-55degc
Single P-Channel 100 V 0.06 Ohm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-100V; Continuous Drain Current, Id:-40A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 38 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 60 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 55 / Rise Time ns = 63 / Turn-OFF Delay Time ns = 72 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 170

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRF5210STRLPBF.
  • SP001554020