STMicroelectronics STB30NF10T4

N-channel 100V 0.038 Ohm 35A D2PAK Low Gate Charge Stripfet II Mosfet
$ 0.645
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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTB35NF10T4
N-Channel 100V - 0.030 Ohm - 40A - D2PAK LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
InfineonIRF540NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 33 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
STMicroelectronicsSTB40NF10LT4
N-CHANNEL 100V 0.028 OHM 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 43.5 A, 52 mΩ, D2PAK

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STB30NF10T4 fournies par ses distributeurs.

N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
N-Channel 100 V 0.045 Ohm Surface Mount STripFET II MosFet - D2PAK
STB30NF10T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 35 A, 100 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 100V, 35A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 15A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 115W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 35A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 100V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Mosfet, N Channel, 100V, 35A, D2Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:15A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:100V; Resistencia De Activación Rds(On):38Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STB30NF10T4

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics